TE Connectivity AP1203GMA

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

AP1203GMA

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

Risk Rank

5.69

Drain Current-Max (ID)

47 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.012 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

29 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR