TE Connectivity DIV40E21-35SN-023

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-LBGA

外壳材料

Aluminium

供应商器件包装

165-FBGA (15x17)

Package

Tray

Base Product Number

CY7C1420

厂商

Infineon Technologies

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

RoHS

Non-Compliant

Insulation Materials

Silicone

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

定位的数量

79

技术

SRAM - Synchronous, DDR II

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

工作电源电压

400 V

镀层

Cadmium

内存大小

36Mbit

时钟频率

250 MHz

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

-

馈通型

无

组织的记忆

1M x 36