Texas Instruments 1105963

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

PG-TO263-3

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

195A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

380W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HEXFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4mOhm @ 165A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11210 pF @ 50 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

140 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±16V

场效应管特性

-