Texas Instruments 5425DM
- 收藏
- 对比
5425DM详情
Texas Instruments 5425DM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Voltage, Rating
1 kV
RoHS
Compliant
包装
Bulk
容差
20 %
终端
Radial
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
组成
Ceramic
电容量
10 nF
深度
3 mm
螺纹距离
7.5 mm
铅直径
600 µm
引线/基座样式
Straight
座位高度(最大)
18.0086 mm
辐射硬化
无
5425DM拓展信息








哦! 它是空的。