Texas Instruments 54F413DMQB
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54F413DMQB
2502-54F413DMQB
集成电路(IC)
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FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 64 x 4 16-Pin CDIP
1最小包装量--
54F413DMQB详情
Texas Instruments 54F413DMQB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
16
Manufacturer Part Number
54F413DMQB
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Package Description
DIP, DIP16,.3
Risk Rank
5.6
Access Time-Max
39 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
8 MHz
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words
64 words
Number of Words Code
64
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP16,.3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-CDIP-T16
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.16 mA
组织结构
64X4
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
4
记忆密度
256 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
其他先进先出
输出启用
NO
周期
125 ns
长度
19.43 mm
宽度
7.62 mm
54F413DMQB拓展信息







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