8201006EA
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Texas Instruments 8201006EA

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型号

8201006EA

utmel 编号

2502-8201006EA

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SMD / Dynamic Ram, 3 State Outputs

起订量

1最小包装量--

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8201006EA
8201006EA Texas Instruments SMD / Dynamic Ram, 3 State Outputs

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8201006EA详情

Texas Instruments 8201006EA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    16

  • Manufacturer Part Number

    8201006EA

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Part Package Code

    DIP

  • Package Description

    DIP, DIP16,.3

  • Risk Rank

    5.4

  • Access Time-Max

    150 ns

  • Number of Words

    65536 words

  • Number of Words Code

    64000

  • Operating Temperature-Max

    110 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    CERAMIC, GLASS-SEALED

  • Package Code

    DIP

  • Package Equivalence Code

    DIP16,.3

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Usage Level

    Military grade

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.02

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    2.54 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    16

  • JESD-30代码

    R-GDIP-T16

  • 资历状况

    Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 电源

    5 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.06 mA

  • 组织结构

    64KX1

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    1

  • 记忆密度

    65536 bit

  • 筛选水平

    MIL-STD-883

  • I/O类型

    SEPARATE

  • 内存IC类型

    DRAM 模式页面

  • 刷新周期

    256

  • 访问模式

    快速页面

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技术文档: Texas Instruments 8201006EA.

8201006EA拓展信息

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