Texas Instruments ADS8505IBDWG4

触点镀层

Gold

包装/外壳

SOIC

表面安装

YES

引脚数

28

Current - Supply (Nom)

12mA

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100mW

包装

Rail/Tube

JESD-609代码

e4

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

28

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

85°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 供电

5V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

极性

Bipolar

电源

5V

温度等级

INDUSTRIAL

界面

Parallel

功率耗散

70mW

比特数

16

转换器类型

ADC, SUCCESSIVE APPROXIMATION

电源类型

Analog, Digital

决议案

2 B

采样率

250 ksps

模拟输入通道数

1

输出位代码

2'S COMPLEMENT BINARY

消耗功率

155mW

线性度误差-最大值 (EL)

0.0023%

积分非线性(INL)

1.5 LSB

采样和保持/跟踪和保持

SAMPLE

转换率

250 ksps

信噪比(SNR)

88 dB

最大电源电压（DC）

5.25V

微分非线性

1 LSB

最小电源电压(DC)

4.75V

电压 - 供电 （最大值）

5.25V

电压 - 供电 （最小值）

4.75V

无杂散动态范围（SFDR）

105 dB

高度

2.35mm

长度

18mm

宽度

7.52mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅