Texas Instruments ANC7823IRTAR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

供应商器件包装

6-DFN (2x2)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Power Dissipation (Max)

1.5W (Ta)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

120 mOhm @ 3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.5nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)