Texas Instruments BQ4011MA-100
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BQ4011MA-100
2502-BQ4011MA-100
存储器
28-DIP Module (0.61, 15.49mm)
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IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
--最小包装量--
BQ4011MA-100详情
Texas Instruments BQ4011MA-100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
28-DIP Module (0.61, 15.49mm)
引脚数
28
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tube
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
28
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
4.75V~5.5V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
2.54mm
频率
100GHz
基本部件号
BQ4011
工作电源电压
5V
电源
5V
内存大小
256Kb 32K x 8
工作电源电流
50mA
电源电流
50mA
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
32KX8
写入周期时间 - 字符、页面
100ns
密度
256 kb
待机电流-最大值
0.004A
访问时间(最大)
100 ns
字长
8b
高度
9.4mm
长度
37.72mm
宽度
18.42mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
BQ4011MA-100拓展信息
Texas Instruments
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