Texas Instruments BQ4013LYMA-70N

工厂交货时间

1 Week

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

32-DIP Module (0.610, 15.49mm)

表面安装

NO

引脚数

32

供应商器件包装

32-DIP Module (18.42x42.8)

终端数量

32

Schedule B

8542320040

RoHS

Compliant

Memory Types

Non-Volatile, RAM, SRAM

Package

Tube

Base Product Number

BQ4013

厂商

德州仪器

Product Status

Obsolete

Package Description

ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-32

Package Style

微电子组件

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP32,.6

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

70 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BQ4013LYMA-70N

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Texas

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

Texas INC

Risk Rank

5.8

Part Package Code

MODULE

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

电压 - 供电

3V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDMA-P32

资历状况

不合格

Brand Name

Texas

工作电源电压

3.3 V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

界面

Parallel

最大电源电压

3.6 V

最小电源电压

3 V

内存大小

128 kB

工作电源电流

50 mA

电源电流

50 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.05 mA

访问时间

70 ns

内存格式

NVSRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

8 b

组织结构

128KX8

座位高度-最大

9.53 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

70ns

密度

1 Mb

待机电流-最大值

0.001 A

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

字长

8 b

内存IC类型

NON-VOLATILE SRAM MODULE

组织的记忆

128K x 8

宽度

15.24 mm

长度

42.8 mm

辐射硬化

无

无铅

含铅