Texas Instruments BSV52
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BSV52
2502-BSV52
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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大陆
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Description: 12V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
1最小包装量--
BSV52详情
Texas Instruments BSV52重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of cable accessories
cable chain
Manufacturer series
MEDIUM
Bending radius
100mm
Version
frames openable from inner radius,
External height
43mm
External width
74mm
Internal height
31mm
Internal width
45mm
Colour
black
Gross weight
1400 g
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
500 MHz
Turn-off Time-Max (toff)
18 ns
Turn-on Time-Max (ton)
12 ns
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
高速饱和开关
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大耗散功率(Abs)
0.225 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
12 V
VCEsat-最大值
0.25 V
长度
1m
BSV52拓展信息
Texas Instruments
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