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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥53.867526
10
¥50.818417
100
¥47.941908
500
¥45.228213
1000
¥42.668127
Texas Instruments ISO5852SQDWQ1
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- 对比
ISO5852SQDWQ1
2502-ISO5852SQDWQ1
隔离器 - 栅极驱动器
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
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High-CMTI 2.5-A/5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Protection Features 16-SOIC -40 to 125
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ISO5852SQDWQ1详情
Texas Instruments ISO5852SQDWQ1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
表面安装
YES
引脚数
16
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~125°C
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q100
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
16
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
电源电压
5V
基本部件号
ISO5852
审批机构
CQC, CSA, TUV, UL, VDE
电压-隔离度
5700Vrms
工作电压
2.121kV
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源电压-最小值(Vsup)
2.25V
通道数量
1
上升/下降时间(Typ)
18ns 20ns
接口IC类型
AND GATE BASED IGBT/MOSFET DRIVER
传播延迟(最大延迟差)
110ns, 110ns
共模瞬态抗扰度(最小)
100kV/μs
高边驱动器
NO
电压 - 输出电源
15V~30V
电源电压1-最大值
30V
高度
2.65mm
长度
10.3mm
宽度
7.5mm
器件厚度
2.35mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ISO5852SQDWQ1拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
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