Texas Instruments JBP18S030MJ

生命周期状态

NRND (Last Updated: 3 days ago)

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

16

终端数量

16

Package

Tube

厂商

德州仪器

Product Status

活跃

RoHS

Compliant

Manufacturer Lifecycle Status

NRND (Last Updated: 3 days ago)

Package Description

DIP, DIP16,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

32

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP16,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

50 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Manufacturer Part Number

JBP18S030MJ

Number of Words

32 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Texas

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

Texas INC

Risk Rank

7.92

Part Package Code

DIP

Usage Level

Military grade

系列

*

ECCN 代码

3A001.A.2.C

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8542.39.00.01

子类别

OTP ROM

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

16

JESD-30代码

R-GDIP-T16

资历状况

不合格

Brand Name

Texas

工作电源电压

5 V

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

界面

Parallel

最大电源电压

5.5 V

最小电源电压

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.11 mA

组织结构

32X8

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

8

密度

256 b

记忆密度

256 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

OTP ROM

长度

19.56 mm

高度

5.08 mm

宽度

6.92 mm

器件厚度

4.57 mm

辐射硬化

无

无铅

含铅