Texas Instruments LM903DR
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LM903DR
2502-LM903DR
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LM903DR详情
Texas Instruments LM903DR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
135
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
.36
最高频段
超高频段
LM903DR拓展信息







哦! 它是空的。