Texas Instruments LP358DRE4
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LP358DRE4
2502-LP358DRE4
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
SOIC
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IC OPAMP GP 100KHZ DUAL 8SOIC
1最小包装量--
LP358DRE4详情
Texas Instruments LP358DRE4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
SOIC
引脚数
8
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
包装方式
TAPE AND REEL
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
2
电源电压
5V
引脚数量
8
工作电源电压
16V
温度等级
COMMERCIAL
通道数量
2
最大电源电压
32V
最小电源电压
3V
工作电源电流
85μA
电源电流
150μA
输出电流
10mA
压摆率
0.05 V/μs
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
共模拒绝率
80 dB
输入偏正电流
2nA
每个通道的输出电流
10mA
输入失调电压(Vos)
2mV
带宽
100 kHz
增益带宽积
100 kHz
电压增益
100dB
低偏移
NO
频率补偿
YES
最大双电源电压
16V
最小双电源电压
1.5V
最大偏置电流 (IIB) @25C
0.01μA
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.75mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
LP358DRE4拓展信息
Texas Instruments
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