LP8549B1ASPX07
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Texas Instruments LP8549B1ASPX07

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型号

LP8549B1ASPX07

utmel 编号

2502-LP8549B1ASPX07

商品类别

无类别的

封装

SOT-363-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PROTOTYPE

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LP8549B1ASPX07
LP8549B1ASPX07 Texas Instruments PROTOTYPE

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LP8549B1ASPX07详情

Texas Instruments LP8549B1ASPX07重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    SOT-363-6

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    60 V

  • Typical Turn-On Delay Time

    20 ns

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    2.5 V

  • Pd - Power Dissipation

    200 mW

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 20 V, + 20 V

  • Unit Weight

    0.000265 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    10000

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Forward Transconductance - Min

    100 ms

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Manufacturer

    Panjit

  • Brand

    Panjit

  • Qg - Gate Charge

    800 pC

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    3 Ohms

  • RoHS

    Details

  • Typical Turn-Off Delay Time

    40 ns

  • Id - Continuous Drain Current

    115 mA

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    德州仪器

  • Product Status

    活跃

  • 包装

    Reel

  • 系列

    *

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 配置

    Dual

  • 通道数量

    2 Channel

  • 产品类别

    MOSFET

  • 晶体管类型

    2 N-Channel

  • 产品类别

    MOSFET

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LP8549B1ASPX07拓展信息

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ISO13485
AS
SMTA
DUNS