Texas Instruments LPC660AMD

表面安装

NO

终端数量

14

RoHS

Non-Compliant

Package Description

DIP, DIP14,.3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Equivalence Code

DIP14,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Slew Rate-Nom

0.11 V/us

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

LPC660AMD

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Texas

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Common-mode Reject Ratio-Nom

83 dB

Risk Rank

5.18

Part Package Code

DIP

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.33.00.01

子类别

运算放大器

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

4

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

14

JESD-30代码

R-CDIP-T14

资历状况

不合格

电源

5/15 V

温度等级

MILITARY

电源电流-最大值

0.25 mA

建筑学

VOLTAGE-FEEDBACK

放大器类型

OPERATIONAL AMPLIFIER

座位高度-最大

4.572 mm

统一增益 BW-（标准值）

350 kHz

平均偏置电流-最大值 (IIB)

0.00002 µA

低偏移

NO

频率补偿

YES

电源电压限制-最大值

16 V

低偏压

YES

微功率

YES

最大偏置电流 (IIB) @25C

0.00002 µA

输入失调电压-最大值

3000 µV

电压增益 - 最小值

100000

共模拒绝率-最小值

70 dB

压摆率-Min

0.07 V/us

宽度

7.62 mm

长度

19.304 mm