NDS332P/D87Z
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Texas Instruments NDS332P/D87Z

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型号

NDS332P/D87Z

utmel 编号

2502-NDS332P/D87Z

商品类别

无类别的

封装

8-DIP (0.300, 7.62mm)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

起订量

1最小包装量--

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NDS332P/D87Z
NDS332P/D87Z Texas Instruments SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

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NDS332P/D87Z详情

Texas Instruments NDS332P/D87Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    8-DIP (0.300, 7.62mm)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    8-PDIP

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    NDS332P/D87Z

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Texas

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.4

  • Drain Current-Max (ID)

    1 A

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • 系列

    --

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    Obsolete

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Simple Reset/Power-On Reset

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD RATED

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • 基本部件号

    X5163

  • 输出量

    开路漏极或开路集电极

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 重置

    低电平有效

  • 电压 - 阈值

    2.92V

  • 监测的电压数量

    1

  • 重置超时

    100 ms Minimum

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.41 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 环境耗散-最大值

    0.46 W

0个相似型号

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NDS332P/D87Z拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
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