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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | HTS代码 | 端子位置 | 终端形式 | 功能数量 | 端子间距 | Reach合规守则 | JESD-30代码 | 资历状况 | 温度等级 | 端口的数量 | 操作模式 | 电源电流-最大值 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 记忆密度 | 并行/串行 | I/O类型 | 内存IC类型 | 待机电压-最小值 | 电压 - 供电 （最大值） | 电压 - 供电 （最小值） | 输出启用 | 宽度 | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NMC2147HJ-2 | National Semiconductor Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 18 | 无 | Obsolete | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP | DIP, DIP18,.3 | 45 ns | 4096 words | 4000 | 70 °C | CERAMIC, GLASS-SEALED | DIP | DIP18,.3 | RECTANGULAR | IN-LINE | 5 V | e0 | EAR99 | 锡铅 | 8542.32.00.41 | DUAL | THROUGH-HOLE | 1 | 2.54 mm | unknown | R-GDIP-T18 | 不合格 | COMMERCIAL | 1 | ASYNCHRONOUS | 0.18 mA | 4KX1 | 3-STATE | 5.08 mm | 1 | 4096 bit | PARALLEL | SEPARATE | 标准SRAM | 4.5 V | 5.5 V | 4.5 V | NO | 7.62 mm | |||||
 | NMC2147HJ-2 | Texas Instruments | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 18 | 18 | 无 | Obsolete | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP | DIP | DIP, DIP18,.3 | 45 ns | 4096 words | 4000 | 70 °C | CERAMIC, GLASS-SEALED | DIP | DIP18,.3 | RECTANGULAR | IN-LINE | 5 V | e0 | 无 | EAR99 | 锡铅 | 8542.32.00.41 | DUAL | THROUGH-HOLE | 1 | 2.54 mm | unknown | R-GDIP-T18 | 不合格 | COMMERCIAL | 1 | ASYNCHRONOUS | 0.18 mA | 4KX1 | 3-STATE | 5.08 mm | 1 | 4096 bit | PARALLEL | SEPARATE | 标准SRAM | 4.5 V | 5.5 V | 4.5 V | NO | 7.62 mm |
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