Texas Instruments TL081IDG4
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TL081IDG4
2502-TL081IDG4
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
SOIC
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IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC
1最小包装量--
TL081IDG4详情
Texas Instruments TL081IDG4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
SOIC
引脚数
8
Number of Elements
1
包装
Rail/Tube
JESD-609代码
e4
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
资历状况
不合格
工作电源电压
18V
温度等级
INDUSTRIAL
工作电源电流
1.4mA
电源电流
2.8mA
功率耗散
680mW
压摆率
13 V/μs
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
共模拒绝率
75 dB
输入偏正电流
400pA
输入失调电压(Vos)
6mV
带宽
3MHz
增益带宽积
3MHz
负电源电压(Vsup)
-15V
统一增益 BW-(标准值)
3000 kHz
电压增益
106.02dB
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.02μA
低偏移
NO
频率补偿
YES
最大双电源电压
18V
低偏压
YES
最小双电源电压
3.5V
最大偏置电流 (IIB) @25C
0.0002μA
双电源电压
9V
标称增益带宽积
3MHz
最大I/O电压
15mV
高度
1.58mm
宽度
3.91mm
长度
4.9mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
TL081IDG4拓展信息
Texas Instruments
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