Texas Instruments TM4256GV9-20L
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TM4256GV9-20L
2502-TM4256GV9-20L
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DRAM Module, 256KX9, 200ns, NMOS
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TM4256GV9-20L详情
Texas Instruments TM4256GV9-20L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Through hole
Manufacturer
ELECTROCUBE
RoHS
RoHS and Non-RoHS available on most units
尺寸/尺寸
0.2in Dia x 0.59in L
容差
±5%
电容量
0.0033uF
引线间距
24AWG
电压
600VDC
0个相似型号
TM4256GV9-20L拓展信息







哦! 它是空的。