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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.931755
10
¥5.595995
100
¥5.279241
500
¥4.980413
1000
¥4.698509
Texas Instruments TVS1801DRBR
- 收藏
- 对比
TVS1801DRBR
2502-TVS1801DRBR
电涌抑制 IC
8-VDFN Exposed Pad
大陆
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IC UNIDIR PRECISION SURGE DIODE
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TVS1801DRBR详情
Texas Instruments TVS1801DRBR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
Breakdown Voltage / V
24.4V
Operating Temperature (Min.)
-40°C
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
Reach合规守则
compliant
基本部件号
TVS1801
JESD-30代码
S-PDSO-N8
极性
BIDIRECTIONAL
电路数量
2
二极管类型
跨压抑制二极管
Rep Pk反向电压-最大值
18V
电压 - 箝位
28.8V
RoHS状态
符合RoHS标准
TVS1801DRBR拓展信息
Texas Instruments
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