WP-93013L1T
WP-93013L1T

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Texas Instruments WP-93013L1T

  • 收藏
  • 对比

型号

WP-93013L1T

utmel 编号

2502-WP-93013L1T

商品类别

无类别的

封装

TO-247-3 Variant

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

WP-93013L1T datasheet pdf and Unclassified product details from Texas Instruments stock available at utmel

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
WP-93013L1T
WP-93013L1T Texas Instruments

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

WP-93013L1T详情

Texas Instruments WP-93013L1T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-247-3 Variant

  • 安装类型

    通孔

  • 供应商器件包装

    T-MAX™ [B2]

  • Package

    Tube

  • Base Product Number

    APT6010

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    54A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    微芯片技术

  • Power Dissipation (Max)

    690W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    POWER MOS 7®

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    100mOhm @ 27A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 2.5mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    6710 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    150 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600 V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

WP-93013L1T拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS