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'tn0106n3'

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category.单MOSFET晶体管 (4)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	工厂交货时间	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	引脚数	质量	晶体管元件材料						操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	附加功能	端子位置	峰值回流焊温度（摄氏度）	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	通道数量	元素配置	操作模式	功率耗散	接通延迟时间	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	上升时间	Vgs（最大值）	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	反馈上限-最大值 (Crss)	高度	长度	宽度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
		TN0106N3	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
		TN0106N3-G	Microchip Technology	数据表	N/A	1: ¥7.335557 10: ¥6.920337 100: ¥6.528620 500: ¥6.159075 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1		8 Weeks	Tin	通孔	通孔	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	3	453.59237mg	SILICON	350mA Tj	4.5V 10V	1	1W Tc	6 ns	-55°C~150°C TJ	Bulk	2013	e3	活跃	1 (Unlimited)	3	EAR99		逻辑电平兼容	BOTTOM					1	Single	增强型MOSFET	1W	2 ns	N-Channel	SWITCHING	3 Ω @ 500mA, 10V	2V @ 500μA	60pF @ 25V	3ns	±20V	3 ns	350mA	20V		3Ohm	60V	8 pF	5.33mm	5.21mm	4.19mm	无	ROHS3 Compliant	无铅
		TN0106N3-G-P003	Microchip Technology	数据表	878 In Stock	1: ¥8.279368 10: ¥7.810727 100: ¥7.368609 500: ¥6.951517 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1		6 Weeks		通孔	通孔	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	3	453.59237mg	SILICON	350mA Tj	4.5V 10V	1	1W Tc	6 ns	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2013		活跃	1 (Unlimited)	3	EAR99			BOTTOM	未说明	未说明			1	Single	增强型MOSFET	1W	2 ns	N-Channel	SWITCHING	3 Ω @ 500mA, 10V	2V @ 500μA	60pF @ 25V	3ns	±20V	3 ns	350mA	2V		3Ohm	60V	8 pF					ROHS3 Compliant
		TN0106N3-G-P013	Microchip Technology	数据表	10000 In Stock	1: ¥8.263469 10: ¥7.795727 100: ¥7.354460 500: ¥6.938172 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1		6 Weeks		通孔	通孔	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		453.59237mg	SILICON	350mA Tj	4.5V 10V	1	1W Tc	6 ns	-55°C~150°C TJ	Tape & Box (TB)	2013	e3	活跃	1 (Unlimited)	3	EAR99	哑光锡	逻辑电平兼容	BOTTOM	未说明	未说明	O-PBCY-T3	不合格	1	Single	增强型MOSFET		2 ns	N-Channel	SWITCHING	3 Ω @ 500mA, 10V	2V @ 500μA	60pF @ 25V	3ns	±20V	3 ns	350mA	20V	0.35A	3Ohm	60V	8 pF					ROHS3 Compliant