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'tn0110n3'

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category.单MOSFET晶体管 (3)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

质量

晶体管元件材料

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

最大功率耗散

端子位置

JESD-30代码

通道数量

元素配置

操作模式

功率耗散

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

漏源电阻

反馈上限-最大值 (Crss)

高度

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

TN0110N3

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

453.59237 mg

Non-Compliant

6 ns

Bulk

150 °C

-55 °C

1 W

1

Single

2 ns

3 ns

100 V

350 mA

20 V

3 Ω

TN0110N3-G

Microchip Technology

N/A

1: ¥25.361718
10: ¥23.926149
100: ¥22.571839
500: ¥21.294188

查看所有的价格

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6 Weeks

通孔

通孔

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

3

453.59237mg

SILICON

4.5V 10V

1

1W Tc

6 ns

350mA Tj

-55°C~150°C TJ

Bulk

2011

e3

活跃

1 (Unlimited)

3

EAR99

Matte Tin (Sn)

逻辑电平兼容

BOTTOM

1

Single

增强型MOSFET

1W

2 ns

N-Channel

SWITCHING

3 Ω @ 500mA, 10V

2V @ 500μA

60pF @ 25V

3ns

±20V

3 ns

350mA

20V

3Ohm

100V

8 pF

5.33mm

5.21mm

4.19mm

无

ROHS3 Compliant

无铅

TN0110N3-G-P002

TN0110N3-G-P002

Microchip Technology

10000 In Stock

1: ¥9.706851
10: ¥9.157409
100: ¥8.639063
500: ¥8.150062

查看所有的价格

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6 Weeks

通孔

通孔

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

453.59237mg

SILICON

350mA Tj

4.5V 10V

1

1W Tc

6 ns

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2013

活跃

1 (Unlimited)

3

EAR99

BOTTOM

O-PBCY-T3

1

Single

增强型MOSFET

2 ns

N-Channel

SWITCHING

3 Ω @ 500mA, 10V

2V @ 500μA

60pF @ 25V

3ns

100V

±20V

3 ns

350mA

20V

0.35A

3Ohm

8 pF

5.33mm

5.21mm

4.19mm

ROHS3 Compliant