1SS181(F)详情
Toshiba 1SS181(F)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
材料
Si
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
ECCN (US)
EAR99
Maximum DC Reverse Voltage (V)
80
Peak Reverse Repetitive Voltage (V)
85
Maximum Continuous Forward Current (A)
0.1
Peak Non-Repetitive Surge Current (A)
2
Peak Forward Voltage (V)
1.2
Peak Reverse Current (uA)
0.5
Maximum Diode Capacitance (pF)
4
Maximum Power Dissipation (mW)
150
Peak Reverse Recovery Time (ns)
4
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
125
Supplier Temperature Grade
汽车
Automotive
有
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Standard Package Name
S-MINI
Supplier Package
S-Mini
Military
无
Mounting
表面贴装
Package Height
1.1
Package Length
2.9
Package Width
1.5
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Number of Elements per Chip
2
Package Type
SOT-346 (SC-59)
Peak Reverse Recovery Time
4ns
Rectifier Type
Switching
Package Description
SC-59, TO-236MOD, 3 PIN
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
125 °C
Manufacturer Part Number
1SS181(F)
Power Dissipation (Max)
0.225 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Forward Voltage-Max (VF)
1.2 V
Risk Rank
5.62
零件状态
Obsolete
类型
开关二极管
应用
快速恢复
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
双共阳极
二极管类型
高速
输出电流-最大值
0.1 A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
85 V
最大非代表Pk前进电流
2 A
二极管配置
共阳极
反向电流-最大值
0.5 µA
反向恢复时间-最大值
0.004 µs
反向测试电压
80 V
RoHS状态
符合RoHS标准
1SS181(F)拓展信息
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba









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