2SA1182-Y,LF(T
2SA1182-Y,LF(T

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Toshiba 2SA1182-Y,LF(T

  • 收藏
  • 对比

型号

2SA1182-Y,LF(T

品牌

Toshiba

utmel 编号

2541-2SA1182-Y,LF(T

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor Silicon PNP Epitaxial (PCT process)

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
2SA1182-Y,LF(T
2SA1182-Y,LF(T Toshiba Transistor Silicon PNP Epitaxial (PCT process)

请发送询价,我们将立即回复。

库存:57000

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

2SA1182-Y,LF(T详情

Toshiba 2SA1182-Y,LF(T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    2SA1182-Y,LF(T

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    TOSHIBA CORP

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Risk Rank

    2.08

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    200 MHz

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • JEDEC-95代码

    TO-236

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.15 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.5 A

  • 最小直流增益(hFE)

    40

  • 集电极-发射器电压-最大值

    30 V

  • VCEsat-最大值

    0.25 V

  • 环境耗散-最大值

    0.15 W

0个相似型号

2SA1182-Y,LF(T拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z