2SA1312-GR详情
Toshiba 2SA1312-GR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
450 V
RoHS
Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
125 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
2SA1312-GR
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Risk Rank
1.21
Part Package Code
SOT-23
容差
20 %
JESD-609代码
e0
终端
Snap in
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.95
电容量
330 µF
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
螺纹距离
10.0076 mm
ESR(等效串联电阻)
290 mΩ
极性
Polar
配置
SINGLE
纹波电流
2.49 A
寿命(小时)
10000 hours
阻抗
410 mΩ
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-236
最大耗散功率(Abs)
0.15 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
200
集电极-发射器电压-最大值
120 V
VCEsat-最大值
0.3 V
高度
50 mm
直径
30 mm
座位高度(最大)
51.9938 mm
2SA1312-GR拓展信息








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