2SB1375详情
Toshiba 2SB1375重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2SB1375
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GALAXY SEMI-CONDUCTOR CO LTD
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Risk Rank
5.73
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Transition Frequency-Nom (fT)
9 MHz
RoHS
Non-Compliant
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE
极性/通道类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
60 V
JEDEC-95代码
TO-220AB
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
15
集电极-发射器电压-最大值
60 V
2SB1375拓展信息
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba








哦! 它是空的。