2SC2712-BL(F)详情
Toshiba 2SC2712-BL(F)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2SC2712-BL(F)
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Risk Rank
5.57
Samacsys Description
Transistor Toshiba 2SC2712-BL(F) NPN Bipolar Transistor, 0.15 A, 50 V, 3-Pin SC-59
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
125 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Transition Frequency-Nom (fT)
80 MHz
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1.1 x 2.9 x 1.5mm
Package Type
SOT-346 (SC-59)
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Maximum DC Collector Current
150 mA
Maximum Operating Frequency
80 MHz
Minimum DC Current Gain
70
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.15 W
集电极电流-最大值(IC)
0.15 A
最小直流增益(hFE)
350
集电极-发射器电压-最大值
50 V
2SC2712-BL(F)拓展信息
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba








哦! 它是空的。