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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.175633
10
¥0.165692
100
¥0.156313
500
¥0.147465
1000
¥0.139118
2SC4116-GR,LF(T详情
Toshiba 2SC4116-GR,LF(T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2SC4116-GR,LF(T
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Risk Rank
2.05
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
125 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
80 MHz
Emitter-Base Voltage
5(V)
Operating Temperature Classification
Military
Package Type
USM
Transistor Polarity
NPN
Collector-Base Voltage
60(V)
Category
双极小信号
Operating Temp Range
-55C to 125C
Collector Current (DC)
0.15(A)
Rad Hardened
无
DC Current Gain
200
Mounting
表面贴装
Qualification
-
包装
卷带
附加功能
低噪音
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
频率
80(MHz)
引脚数量
3
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
功率耗散
0.1(W)
输出功率
Not Required(W)
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
转换频率
80MHz
最大耗散功率(Abs)
0.1 W
集电极电流-最大值(IC)
0.15 A
最小直流增益(hFE)
200
连续集电极电流
150mA
集电极-发射器电压-最大值
50 V
VCEsat-最大值
0.25 V
集电极-基极电容-最大值
3.5 pF
环境耗散-最大值
0.1 W
2SC4116-GR,LF(T拓展信息
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba







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