2SD1221-GR详情
Toshiba 2SD1221-GR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2SD1221-GR
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
终身购买
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Risk Rank
5.28
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Transition Frequency-Nom (fT)
3 MHz
无铅代码
无
端子表面处理
未说明
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
150
集电极-发射器电压-最大值
60 V
VCEsat-最大值
1 V
环境耗散-最大值
20 W
2SD1221-GR拓展信息
Toshiba
Toshiba
Toshiba
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