2SJ620详情
Toshiba 2SJ620重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Style
CHIP CARRIER
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Number of Elements
1
Drain Current-Max (ID)
18 A
Risk Rank
5.37
Package Description
LEAD FREE, 2-9F1B, SC-97, 4 PIN
Part Package Code
SC-97
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2SJ620
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PBCC-N4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
18 A
漏极-源极导通最大电阻
0.12 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
72 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
937 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
2SJ620拓展信息
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba








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