Toshiba 2SK1530

表面安装

NO

质量

4.535924 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2SK1530

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

12 A

无铅代码

无

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

宽度

76.2 mm

高度

6.35 mm

长度

127 mm

达到SVHC

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