2SK170-GR详情
Toshiba 2SK170-GR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
材料
Si
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
ECCN (US)
EAR99
Maximum Drain Gate Voltage (V)
-40
Maximum Power Dissipation (mW)
400
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
125
Minimum Drain Saturation Current (mA)
2.6
Automotive
无
Standard Package Name
TO-92
Supplier Package
TO-92
Military
无
Mounting
通孔
Package Height
4.7(Max)
Package Length
5.1(Max)
Package Width
4.1(Max)
PCB changed
3
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
125 °C
Manufacturer Part Number
2SK170-GR
Package Shape
ROUND
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Risk Rank
5.67
Part Package Code
TO-92
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
端子表面处理
锡铅
附加功能
低噪音
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
Single
操作模式
DEPLETION MODE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-92
信道型
N
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.4 W
RoHS状态
RoHS non-compliant
2SK170-GR拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage









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