2SK2998详情
Toshiba 2SK2998重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2SK2998
Package Shape
ROUND
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
终身购买
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Risk Rank
5.39
Part Package Code
TO-92
Drain Current-Max (ID)
0.5 A
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-92
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.5 A
漏极-源极导通最大电阻
18 Ω
DS 击穿电压-最小值
500 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.9 W
2SK2998拓展信息
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba








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