Toshiba 2SK3499

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Style

小概要

Package Shape

SQUARE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

10 A

Risk Rank

5.88

Package Description

SMALL OUTLINE, S-PDSO-F4

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2SK3499

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

S-PDSO-F4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10 A

漏极-源极导通最大电阻

0.55 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40 A

DS 击穿电压-最小值

400 V

雪崩能量等级（Eas）

360 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

80 W