30GWJ2C42C详情
Toshiba 30GWJ2C42C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
ECCN (US)
EAR99
Peak Reverse Repetitive Voltage (V)
40
Maximum Continuous Forward Current (A)
30
Peak Non-Repetitive Surge Current (A)
330
Peak Forward Voltage (V)
0.55@15A
Peak Reverse Current (uA)
15000
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
125
Supplier Package
TO-3PN
Military
无
Mounting
通孔
Package Height
19
Package Length
15.9(Max)
Package Width
4.5
PCB changed
3
Tab
Tab
Package Description
12-16D1A, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
30GWJ2C42C
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Forward Voltage-Max (VF)
0.55 V
Risk Rank
5.34
Part Package Code
SOD
零件状态
Obsolete
类型
肖特基二极管
应用
GENERAL PURPOSE
技术
SCHOTTKY
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
双共阴极
二极管类型
接收电极
箱体转运
CATHODE
输出电流-最大值
30 A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
40 V
最大非代表Pk前进电流
330 A
反向电流-最大值
15000 µA
30GWJ2C42C拓展信息
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba









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