Toshiba 3SK293

表面安装

YES

材料

Si

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

ECCN (US)

EAR99

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

12.5

Maximum Gate Source Voltage (V)

±8

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.03

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

2@6V

Maximum Power Dissipation (mW)

100

Typical Power Gain (dB)

22.5

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

125

Supplier Package

USQ

Military

无

Mounting

表面贴装

Package Height

0.95

Package Length

2

Package Width

1.25

PCB changed

4

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

3SK293

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.27

Drain Current-Max (ID)

0.03 A

包装

卷带

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

单双闸门

操作模式

DUAL GATE, DEPLETION MODE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.03 A

DS 击穿电压-最小值

12.5 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

0.04 pF

最高频段

超高频段

功率增益-最小值(Gp)

20 dB

RoHS状态

符合RoHS标准