CUS05S30,H3F(T详情
Toshiba CUS05S30,H3F(T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
材料
Si
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
ECCN (US)
EAR99
Maximum DC Reverse Voltage (V)
20
Peak Reverse Repetitive Voltage (V)
30
Maximum Continuous Forward Current (A)
0.5
Peak Non-Repetitive Surge Current (A)
5
Peak Forward Voltage (V)
0.47
Peak Reverse Current (uA)
300
Maximum Diode Capacitance (pF)
55(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
125
Standard Package Name
USC
Supplier Package
USC
Military
无
Mounting
表面贴装
Package Height
0.9
Package Length
1.7
Package Width
1.25
PCB changed
2
Lead Shape
Gull-wing
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
125 °C
Manufacturer Part Number
CUS05S30,H3F(T
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Forward Voltage-Max (VF)
0.47 V
Risk Rank
5.72
包装
卷带
零件状态
活跃
类型
小信号肖特基二极管
应用
GENERAL PURPOSE
技术
SCHOTTKY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDSO-G2
配置
Single
二极管类型
接收电极
输出电流-最大值
0.5 A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
30 V
最大非代表Pk前进电流
5 A
反向电流-最大值
300 µA
反向测试电压
30 V
RoHS状态
符合RoHS标准
CUS05S30,H3F(T拓展信息
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba









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