DF2B6.8M1CT详情
Toshiba DF2B6.8M1CT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package Description
ULTRA COMPACT, CST2, 2 PIN
Package Style
CHIP CARRIER
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
DF2B6.8M1CT
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Breakdown Voltage-Nom
6 V
Risk Rank
5.75
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOW CAPACITANCE
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
瞬态抑制器
技术
AVALANCHE
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-XBCC-N2
极性
BIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
Rep Pk反向电压-最大值
5 V
击穿电压-最小值
6 V
最大箝位电压
17 V
DF2B6.8M1CT拓展信息








哦! 它是空的。