GT20D201详情
Toshiba GT20D201重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
GT20D201
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Risk Rank
8.65
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
POWER AMPLIFIER
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
180 W
集电极电流-最大值(IC)
20 A
集电极-发射器电压-最大值
250 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
3.2 V
环境耗散-最大值
180 W
达到SVHC
unknown
GT20D201拓展信息








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