GT20G101详情
Toshiba GT20G101重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
GT20G101
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Rise Time-Max (tr)
500 ns
Risk Rank
5.8
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
通用开关
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
60 W
集电极电流-最大值(IC)
20 A
集电极-发射器电压-最大值
400 V
栅极-发射极电压-最大值
25 V
VCEsat-最大值
8 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
7 V
环境耗散-最大值
60 W
最大下降时间 (tf)
6000 ns
达到SVHC
unknown
GT20G101拓展信息








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