Toshiba GT40M101

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

GT40M101

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Rise Time-Max (tr)

600 ns

Risk Rank

5.92

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

HIGH SPEED

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大耗散功率(Abs)

90 W

集电极电流-最大值(IC)

40 A

集电极-发射器电压-最大值

900 V

栅极-发射极电压-最大值

25 V

VCEsat-最大值

3.7 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6 V

环境耗散-最大值

90 W

最大下降时间 (tf)

400 ns

达到SVHC

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