HN3B01F详情
Toshiba HN3B01F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
有
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
150 MHz
Manufacturer Part Number
HN3B01F
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
终身购买
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Risk Rank
5.57
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
BIP 通用小信号
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN和PNP
集电极电流-最大值(IC)
0.15 A
最小直流增益(hFE)
120
集电极-发射器电压-最大值
50 V
VCEsat-最大值
0.25 V
达到SVHC
unknown
HN3B01F拓展信息








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