HN9C01FE详情
Toshiba HN9C01FE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
10000 MHz
Manufacturer Part Number
HN9C01FE
Risk Rank
5.92
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
2
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Package Shape
RECTANGULAR
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
低噪音
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.1 W
集电极电流-最大值(IC)
0.015 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
8 V
最高频段
超高频段
达到SVHC
unknown
HN9C01FE拓展信息








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