Toshiba JDV3S26CT

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Package Description

R-CBCC-N3

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

JDV3S26CT

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.84

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

Varactors

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

二极管类型

可变电容二极管

箱体转运

CATHODE

Rep Pk反向电压-最大值

10 V

频带

超高频

二极管电容-标称

15.8 pF

二极管容差

3.03%

二极管电容比-最小值

2.82

达到SVHC

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