JDV3S29CT详情
Toshiba JDV3S29CT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Risk Rank
5.84
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
1
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
JDV3S29CT
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Style
CHIP CARRIER
Package Description
R-CBCC-N3
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.80
子类别
Varactors
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
引脚数量
3
JESD-30代码
R-CBCC-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
二极管类型
可变电容二极管
箱体转运
CATHODE
Rep Pk反向电压-最大值
10 V
频带
超高频
二极管电容-标称
3.73 pF
二极管容差
3.75%
二极管电容比-最小值
2.73
达到SVHC
unknown
JDV3S29CT拓展信息








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