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Toshiba MG75N2YS1

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对比

型号

MG75N2YS1

品牌

utmel 编号

2541-MG75N2YS1

商品类别

集成电路（IC）

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MG75N2YS1 power transistor module Half Bridge IGBT Power Module - V(isol) 2.5kV max Toshiba Bridges Power Modules Circuits Per Package=1 V(BR)CES (V)=1.0k I(C) Abs.(A) Collector Current=75

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MG75N2YS1

MG75N2YS1 Toshiba MG75N2YS1 power transistor module Half Bridge IGBT Power Module - V(isol) 2.5kV max Toshiba Bridges Power Modules Circuits Per Package=1 V(BR)CES (V)=1.0k I(C) Abs.(A) Collector Current=75

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MG75N2YS1详情

技术参数

Toshiba MG75N2YS1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

7
晶体管元件材料

SILICON
Manufacturer Part Number

MG75N2YS1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Risk Rank

5.72
Number of Elements

2
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Nom (toff)

1000 ns
Turn-on Time-Nom (ton)

500 ns
附加功能

高速开关
端子位置

UPPER
终端形式

UNSPECIFIED
Reach合规守则

unknown
引脚数量

7
JESD-30代码

R-PUFM-X7
资历状况

不合格
配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

MOTOR CONTROL
极性/通道类型

N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)

400 W
集电极电流-最大值(IC)

75 A
集电极-发射器电压-最大值

1000 V
VCEsat-最大值

5 V

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