TLP291(GB,E)详情
Toshiba TLP291(GB,E)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SOIC (0.179, 4.55mm Width)
供应商器件包装
4-SO
Supplier Package
SOIC
Maximum Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Mounting
表面贴装
Current Transfer Ratio-Min
100% @ 5mA
Package
Tube
Base Product Number
TLP291
厂商
东芝半导体与存储
Product Status
活跃
Vr - Reverse Voltage
5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Pd - Power Dissipation
200 mW
Maximum Operating Temperature
+ 110 C
Unit Weight
0.001764 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
175
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
Toshiba
Brand
Toshiba
If - Forward Current
50 mA
RoHS
Details
操作温度
-55 to 110 °C
系列
-
包装
Tube
子类别
Optocouplers
引脚数量
4
电压-隔离度
3750Vrms
输出类型
Transistor
通道数量
1
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.25V
输入类型
DC
上升时间
4 us
产品类别
晶体管输出光耦合器
上升/下降时间(Typ)
2µs, 3µs
输出/通道电流
50mA
电压 - 输出(最大值)
80V
信道型
N
最大直流驱动电流(If)
50 mA
输入电流
50 mA
隔离电压
3750 Vrms
电流传输比(最大)
600% @ 5mA
接通 / 关断时间(典型值)
3µs, 3µs
Vce 饱和度(最大值)
300mV
电流传输比
400 %
Vf-正向电压
1.4 V
产品类别
晶体管输出光耦合器
宽度
4.55 V
高度
2.1 V
长度
2.6 V
TLP291(GB,E)拓展信息
Toshiba
Toshiba
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